Um Samsung quer ampliar seu portfólio de produtos para se adequar ainda mais à demanda por inteligência artificial. A empresa pretende lançar seus produtos de DRAM 3D no próximo ano, mirando diretamente na concorrência local, como a SK Hynix, e buscando conquistar uma posição de liderança no mercado global de chips de IA.

O plano estratégico da Samsung para DRAM 3D foi revelado recentemente. Essa tecnologia empilha as células verticalmente, triplicando a capacidade por unidade em comparação com os métodos tradicionais de empilhamento horizontal. É uma abordagem que ecoa a eficiência da memória de alta largura de banda, algo que tem recebido muitos elogios, inclusive pela NVIDIA, atual líder no setor.

Uma versão inicial da DRAM 3D da Samsung está prevista para o próximo ano, com base na tecnologia de transistor de canal vertical. Eles planejam continuar inovando, com uma DRAM empilhada, onde todas as células, incluindo o capacitor, serão empilhadas, até 2030.

A Samsung está determinada a tomar a frente na indústria de chips de IA, buscando desbancar a SK Hynix, que atualmente detém uma fatia impressionante de 90% do mercado global de HBM e DRAM para aplicações de IA. Embora acredite que a SK Hynix também esteja trabalhando nessa tecnologia, eles mantiveram seus planos em segredo até agora.

Com o mercado global de DRAM 3D projetado para atingir a marca de US$ 100 bilhões até 2030, a Samsung está se posicionando para explorar essa oportunidade de crescimento. Embora o mercado ainda esteja em sua infância, a alta demanda por soluções de memória de IA sugere que esses números se mostram conservadores, com potencial para crescimento ainda maior.

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